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高精度芯片高低溫測(cè)試電子冷熱測(cè)試

簡(jiǎn)要描述:高精度芯片高低溫測(cè)試電子冷熱測(cè)試的典型應(yīng)用:
適合元器件測(cè)試用設(shè)備,在用于惡劣環(huán)境的半導(dǎo)體電子元件的制造中,IC封裝組裝和工程和生產(chǎn)的測(cè)試階段包括在溫度(-85℃至+ 250℃)下的電子冷熱測(cè)試和其他環(huán)境測(cè)試模擬。

  • 產(chǎn)品型號(hào):TES-4555
  • 廠(chǎng)商性質(zhì):生產(chǎn)廠(chǎng)家
  • 更新時(shí)間:2024-01-03
  • 訪(fǎng)  問(wèn)  量:883
詳情介紹
品牌LNEYA/無(wú)錫冠亞產(chǎn)地類(lèi)別國(guó)產(chǎn)
應(yīng)用領(lǐng)域石油,能源,電子,汽車(chē),電氣

 元器件測(cè)試用設(shè)備

 

適合元器件測(cè)試用設(shè)備

在用于惡劣環(huán)境的半導(dǎo)體電子元件的制造中,IC封裝組裝和工程和生產(chǎn)的測(cè)試階段包括在溫度(-85℃至+ 250℃)下的電子冷熱測(cè)試和其他環(huán)境測(cè)試模擬。

 

元器件測(cè)試用設(shè)備

 

無(wú)錫冠亞積探索和研究元件測(cè)試系統(tǒng),主要用于半導(dǎo)體測(cè)試中的溫度測(cè)試模擬,具有寬溫度定向和高溫升降,溫度范圍-92℃~250℃,適合各種測(cè)試要求,解決了電子元器件中溫度控制滯后的問(wèn)題,超高溫冷卻技術(shù)可以直接從300℃冷卻。該產(chǎn)品適用于電子元器件的精確溫度控制需求。

 

無(wú)錫冠亞元器件高低溫測(cè)試機(jī)在用于惡劣環(huán)境的半導(dǎo)體電子元件的制造中,IC封裝組裝和工程和生產(chǎn)的測(cè)試階段包括在溫度(-85℃至+ 250℃)下的電子冷熱測(cè)試和其他環(huán)境測(cè)試模擬。這些半導(dǎo)體器件和電子產(chǎn)品一旦投入實(shí)際應(yīng)用,就可以暴露在端環(huán)境條件下,滿(mǎn)足苛刻的軍事和電信可靠性標(biāo)準(zhǔn)。

 

元器件測(cè)試用設(shè)備

元器件測(cè)試用設(shè)備

高精度芯片高低溫測(cè)試電子冷熱測(cè)試

高精度芯片高低溫測(cè)試電子冷熱測(cè)試

  冷卻系統(tǒng)是芯片件中的一個(gè)重要組成部分。因?yàn)閷?duì)芯片來(lái)說(shuō),不論其工作方式是連續(xù)的還是脈沖的,轉(zhuǎn)化為芯片輸出的能量都只是輸入泵浦燈電能的少部分,而其絕大部分能量都轉(zhuǎn)化為熱損耗,使得芯片工作物質(zhì)溫度升高,且棒內(nèi)增度分布不均勻,這些將直接影響芯片工作物質(zhì)的光學(xué)性能,從而使芯片光束質(zhì)量下降,芯片器件壽命減短,嚴(yán)重時(shí)甚至還會(huì)出現(xiàn)芯片碎滅。因此,必須配以相應(yīng)的冷卻系統(tǒng),對(duì)芯片工作物質(zhì)進(jìn)行冷卻,保證芯片器件的正常運(yùn)轉(zhuǎn)。

  現(xiàn)在沿用的冷卻器是龐大的水冷系統(tǒng)。而半導(dǎo)體芯片冷卻器既能很好地解決芯片冷卻問(wèn)題,同時(shí)又避免了污染和體積重量過(guò)大問(wèn)題,是一種很有生命力的新型冷卻器。芯片冷卻器有在的問(wèn)題目前,芯片的冷卻一般多采用液體冷卻的辦法。其示意圖如下:由于水的熱容量大,廉價(jià)易得,故多使用水作為循環(huán)冷卻液。這是一種比較有效的冷卻方法。

  芯片器所產(chǎn)生的熱量,借助于水泵抽運(yùn)的水流被帶離工作物質(zhì),通過(guò)與蓄水箱里的水熱交換和空氣散熱,達(dá)到冷卻的目的。這里存在兩個(gè)問(wèn)題,一是冷卻液直接接觸芯片工作物質(zhì)、聚光腔和泵浦燈,容易造成污染,使燈的發(fā)光效率、腔體聚光效率、工作物質(zhì)的吸收效率下降,從而使芯片效率降低。二是在機(jī)載應(yīng)用中,考慮到環(huán)境條件的影響,如高低溫等,還要在液體中增加某些添加劑(如防凍劑等),以解決汽化或凍結(jié)等問(wèn)題,這樣更增加了污染。加之要有嚴(yán)格的液體密封措施,設(shè)計(jì)加工也必須相應(yīng)提高要求。

高精度芯片高低溫測(cè)試在用于惡劣環(huán)境的半導(dǎo)體電子元件的制造中,IC封裝組裝和工程和生產(chǎn)的測(cè)試階段包括在溫度(-85℃至+250℃)下的電子冷熱測(cè)試和其它環(huán)境測(cè)試模擬。

元器件測(cè)試用設(shè)備

 

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