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反應釜pid溫度控制 防爆高低溫恒溫循環(huán)裝置

簡(jiǎn)要描述:【無(wú)錫冠亞】反應釜pid溫度控制 防爆高低溫恒溫循環(huán)裝置,應用于對玻璃反應釜、金屬反應釜、生物反應器進(jìn)行升降溫、恒溫控制,尤其適合在反應過(guò)程中有需熱、放熱過(guò)程控制。解決化學(xué)醫藥工業(yè)用準確控溫的特殊裝置,用以滿(mǎn)足間歇反應器溫度控制或持續不斷的工藝進(jìn)程的加熱及冷卻、恒溫系統。

  • 產(chǎn)品型號:SUNDI-625W
  • 廠(chǎng)商性質(zhì):生產(chǎn)廠(chǎng)家
  • 更新時(shí)間:2024-06-20
  • 訪(fǎng)  問(wèn)  量:305
詳情介紹
品牌冠亞制冷價(jià)格區間20萬(wàn)-50萬(wàn)
產(chǎn)地類(lèi)別國產(chǎn)應用領(lǐng)域化工,生物產(chǎn)業(yè),石油,制藥,綜合

反應釜pid溫度控制 防爆高低溫恒溫循環(huán)裝置


無(wú)錫冠亞冷熱一體機典型應用于:

高壓反應釜冷熱源動(dòng)態(tài)恒溫控制、雙層玻璃反應釜冷熱源動(dòng)態(tài)恒溫控制、

雙層反應釜冷熱源動(dòng)態(tài)恒溫控制、微通道反應器冷熱源恒溫控制;

小型恒溫控制系統、蒸飽系統控溫、材料低溫高溫老化測試、

組合化學(xué)冷源熱源恒溫控制、半導體設備冷卻加熱、真空室制冷加熱恒溫控制




型號

SUNDI-125

SUNDI-125W

SUNDI-135

SUNDI-135W

SUNDI-155

SUNDI-155W

SUNDI-175

SUNDI-175W

SUNDI-1A10

SUNDI-1A10W

SUNDI-1A15

SUNDI-1A15W

介質(zhì)溫度范圍

-10℃~+200℃

控制系統

前饋PID ,無(wú)模型自建樹(shù)算法,PLC控制器

溫控模式選擇

物料溫度控制與設備出口溫度控制模式 可自由選擇

溫差控制

設備出口溫度與反應物料溫度的溫差可控制、可設定

程序編輯

可編制5條程序,每條程序可編制40段步驟

通信協(xié)議

MODBUS RTU 協(xié)議  RS 485接口

外接入溫度反饋

PT100或4~20mA或通信給定(默認PT100)

溫度反饋

設備導熱介質(zhì) 溫度、出口溫度、反應器物料溫度(外接溫度傳感器)三點(diǎn)溫度

導熱介質(zhì)溫控精度

±0.5℃

反應物料溫控精度

±1℃

加熱功率 kW

2.5

3.5

5.5

7.5

10

15

制冷量 kW

200℃

2.5

3.5

5.5

7.5

10

15

20℃

2.5

3.5

5.5

7.5

10

15

-5℃

1.5

2.1

3.3

4.2

6

9

流量壓力 max

L/min bar

20

35

35

50

50

75

2

2

2

2

2

2.5

壓縮機

海立

艾默生谷輪/丹佛斯渦旋壓縮機

膨脹閥

丹佛斯/艾默生熱力膨脹閥

蒸發(fā)器

丹佛斯/高力板式換熱器

操作面板

7英寸彩色觸摸屏,溫度曲線(xiàn)顯示、記錄

安全防護

具有自我診斷功能;冷凍機過(guò)載保護;高壓壓力開(kāi)關(guān),過(guò)載繼電器、熱保護裝置等多種安全保障功能。

密閉循環(huán)系統

整個(gè)系統為全密閉系統,高溫時(shí)不會(huì )有油霧、低溫不吸收空氣中水份,系統在運行中不會(huì )因為高溫使壓力上升,低溫自動(dòng)補充導熱介質(zhì)。

制冷劑

R-404A/R507C

接口尺寸

G1/2

G3/4

G3/4

G1

G1

G1

水冷型 W

溫度 20度

600L/H

1.5bar~4bar

G3/8

800L/H

1.5bar~4bar

G1/2

1000L/H

1.5bar~4bar

G3/4

1200L/H

1.5bar~4bar

G3/4

1600L/H

1.5bar~4bar

G3/4

2000L/H

1.5bar~4bar

G3/4

外型尺寸(水)cm

45*65*120

50*85*130

50*85*130

55*100*175

55*100*175

70*100*175

外形尺寸 (風(fēng))cm

45*65*120

50*85*130

55*100*175

55*100*175

70*100*175

70*100*175

隔爆尺寸(風(fēng)) cm

45*110*130

45*110*130

45*110*130

55*120*170

55*120*170

55*120*170

正壓防爆(水)cm

110*95*195

110*95*195

110*95*195

110*95*195

110*95*195

120*110*195

常規重量kg

115

165

185

235

280

300

電源 380V 50HZ

AC 220V 50HZ 3.6kW

5.6kW

7.5kW

10kW

13kW

20kW

選配風(fēng)冷尺寸cm

/

50*68*145

50*68*145

50*68*145

/

/


 

 

 

 

  半導體生產(chǎn)過(guò)程是一個(gè)復雜且精細的工藝過(guò)程,其中溫度控制是影響產(chǎn)品質(zhì)量和性能的關(guān)鍵因素之一。接下來(lái),冠亞制冷為您介紹半導體生產(chǎn)過(guò)程測試環(huán)節溫度控制裝置的使用注意事項,以確保生產(chǎn)過(guò)程的穩定性和產(chǎn)品質(zhì)量的可靠性。

  一、半導體生產(chǎn)過(guò)程測試環(huán)節溫度控制裝置的選擇與安裝

  在選擇溫度控制裝置時(shí),應根據半導體生產(chǎn)過(guò)程的實(shí)際需求進(jìn)行選型??紤]測試環(huán)節的溫度范圍、精度要求、響應時(shí)間等因素,確保所選裝置能夠滿(mǎn)足生產(chǎn)過(guò)程的溫度控制需求。同時(shí),注意選擇具有良好穩定性和可靠性的溫度控制裝置,以保證生產(chǎn)過(guò)程的順利進(jìn)行。

  在安裝半導體生產(chǎn)過(guò)程測試環(huán)節溫度控制裝置時(shí),應遵循相關(guān)規范,確保裝置安裝穩固、連接可靠。對于需要接入電源的溫度控制裝置,應使用符合要求的電源插座,并確保電源電壓穩定,避免對裝置造成損壞。此外,安裝位置的選擇也很重要,應確保裝置遠離熱源、震動(dòng)源和腐蝕性氣體,以保證其正常運行和延長(cháng)使用壽命。

  二、半導體生產(chǎn)過(guò)程測試環(huán)節溫度控制裝置的操作與維護

  在操作半導體生產(chǎn)過(guò)程測試環(huán)節溫度控制裝置時(shí),應遵循設備的操作指南,按照規定的步驟進(jìn)行操作。在測試前,應對裝置進(jìn)行預熱和校準,以確保其準確性。在測試過(guò)程中,應密切關(guān)注溫度控制裝置的運行狀態(tài),如發(fā)現異常情況應及時(shí)處理。同時(shí),應避免在裝置周?chē)胖秒s物,以免影響其正常運行。

  對于半導體生產(chǎn)過(guò)程測試環(huán)節溫度控制裝置的維護,應定期進(jìn)行清潔和檢查。清潔時(shí),應使用干燥的軟布擦拭裝置表面,避免使用腐蝕性清潔劑。檢查時(shí),應關(guān)注裝置的連接是否緊固、傳感器是否損壞等。如發(fā)現異常情況,應及時(shí)聯(lián)系專(zhuān)業(yè)人員進(jìn)行維修或更換。

  三、半導體生產(chǎn)過(guò)程測試環(huán)節溫度控制裝置的安全使用

  在使用半導體生產(chǎn)過(guò)程測試環(huán)節溫度控制裝置時(shí),應注意安全事項。應避免在高溫環(huán)境下長(cháng)時(shí)間操作裝置,以免燙傷或引發(fā)火災等事故。其次,對于需要接觸高溫部分的操作,應佩戴防護手套和防護眼鏡等個(gè)人防護裝備,確保操作安全。

  四、半導體生產(chǎn)過(guò)程測試環(huán)節溫度控制裝置的記錄與監控

  為確保半導體生產(chǎn)過(guò)程的質(zhì)量追溯和數據分析,應對溫度控制裝置的使用情況進(jìn)行記錄和監控。記錄內容包括但不限于測試時(shí)間、溫度范圍、溫度波動(dòng)等關(guān)鍵參數。

總之,半導體生產(chǎn)過(guò)程測試環(huán)節溫度控制裝置的使用注意事項涵蓋多個(gè)方面。只有遵循這些注意事項,才能確保溫度控制裝置在半導體生產(chǎn)過(guò)程中發(fā)揮作用,提高產(chǎn)品質(zhì)量和生產(chǎn)效率。




  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

TTTT反應釜pid溫度控制 防爆高低溫恒溫循環(huán)裝置

反應釜pid溫度控制 防爆高低溫恒溫循環(huán)裝置


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